| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD86110 | MOS(场效应管) |
ONSEMI/安森美 |
171000 |
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| WRB2412S-3WR2 | IC |
MORNSUN/金升阳 |
DIP |
22+ |
1250 |
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| LM358DT | IC |
ST/意法 |
SOP8 |
24+25+ |
6000000 |
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| L6203 | IC |
ST/意法 |
ZIP |
22+ |
720 |
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| LU3X31FT2-J80 | 2000 |
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| PESD5V2S2UT | 2000 |
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| QRE1113GR | 2000 |
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| TDA3664/N1 | 贴片三极管 |
ST/意法 |
2000 |
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| RD28F1602C3 | 2000 |
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| S6025L | 2000 |
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| STTA6006TV | 2000 |
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| K9F5608UOC-PCBO | 内存芯片 |
SAMSUNG/三星 |
TSOP |
06+ |
620 |
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| TMPN3120FE5M | 2000 |
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| TS4141 | 2000 |
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| SN74HCT645N | 2000 |
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| SBT2222A | 贴片三极管 |
AUK |
10 |
10+ |
2000 |
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| SD103AW | 肖特基二极管 |
2000 |
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| SPPH10800 | 2000 |
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| SKIIP23NAB126V1 | IGBT模块 |
SEMIKRON |
2000 |
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| RA8835AP3N | 2000 |
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